Seiring dengan meningkatnya penggunaan perangkat listrik silikon karbida (SiC) di sektor-sektor seperti kendaraan energi baru, penyimpanan energi fotovoltaik, dan sistem tenaga industri, keandalan tetap menjadi perhatian utama industri. Mulai dari kurangnya persyaratan khusus untuk SiC dalam spesifikasi AEC-Q101 E pada tahun 2021, hingga pengenalan solusi keandalan internal oleh produsen terkemuka seperti Infineon dan ON Semiconductor, hingga peningkatan standar AQG-324 pada tahun 2025, upaya industri untuk meningkatkan keandalan perangkat SiC tidak pernah berhenti.
Pada bulan Juni 2026, JEDEC (Solid State Technology Association) melakukan langkah terobosan dengan secara resmi merilis dokumen teknis JEP204 bertajuk "Katalog Prosedur Stres untuk Perangkat Silikon Karbida untuk Konversi Elektronik Daya." Dikembangkan oleh Komite Semikonduktor Celah Pita Lebar JC-70, dokumen ini secara sistematis mendokumentasikan semua uji tegangan yang diperlukan untuk transistor dan dioda SiC, sehingga memberikan peta jalan verifikasi keandalan yang jelas untuk seluruh rantai industri.
Apa saja yang tercakup dalam JEP204?
JEP204 mengkategorikan pengujian tekanan perangkat daya SiC menjadi lima jenis utama, yang mencakup seluruh spektrum mulai dari chip hingga kemasan. Ini secara sistematis merangkum mekanisme kegagalan, kondisi stres (misalnya suhu, kelembaban, daya, frekuensi), dan pertimbangan utama untuk setiap pengujian. Selain itu, bagian ini menguraikan properti material SiC, persyaratan peralatan, parameter pemantauan untuk pengujian tertentu, dan prosedur-akhir-pengujian.
Sekarang mari kita tinjau konten pengujian yang dirangkum oleh JEP204:
Pengujian tekanan terkait suhu/Bias; Pengujian stres terkait-lingkungan;
Kekokohan
-
terkait
pengujian; Pengujian stres terkait-kemasan